Лично не сталкивался, но по рассказам знакомых импортная элементная база для бурильно-исследовательского оборудования фуфельная, очень много брака и не соответствия заявленным характеристикам, огромное число отказов. И возвращаясь к технологии изготовления, тут гонка за минимизацией должна быть разумной,т.к. физику не обманешь. При изготовлении полупроводниковых приборов на кристалле делаются различные напыления токопроводящих и изолирующих слоев, так вот, чем выше плотность отдельных элементов микросхемы на кристалле (т.е. технология становиться компактной) тем слои изоляции становятся тоньше и повышается нежность микросхемы, в т.ч. и к статическому электричеству и температурному режиму. С другой стороны, чем меньше площадь кристалла - тем выше его механическая прочность. Поэтому тут нужно подходить к оптимальному варианту.